El efecto MagnetoRresistivo Gigante (GMR) es un mecanismo de acoplo magnético que se da en estructuras multicapa con espesores de nanómetros. En estos dispositivos, la resistencia varía con la aplicación de un campo magnético externo en unos niveles que permiten su uso como sensores, incluso a temperatura ambiente. Es tal la utilidad de los dispositivos basados en GMR, que sus descubridores fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 2007. La constante evolución que está experimentando esta tecnología está abriendo nuevos campos de aplicación, principalmente relacionados con la medida de pequeños campos magnéticos mediante micro y nano-dispositivos, como la biotecnología y la microelectrónica. Basándonos en sus inherentes propiedades (alta sensibilidad, pequeño tamaño...), en esta tesis se propone y estudia el uso de dispositivos basados en estructuras GMR como elementos sensores de corriente eléctrica a nivel de circuito integrado. Para ello, se han diseñado dispositivos en los que la corriente es conducida mediante pistas de corriente integradas cerca de los elementos sensores, de tal forma que ´esta es medida de forma indirecta a partir del campo magnético generado. Nos hemos centrado en estructuras spin valve, debido a sus particulares ventajas. Para poder sistematizar su estudio, se han diseñado dispositivos elementales y dispuestos como puentes, con distintas configuraciones geométricas. Se ha llevado a cabo una caracterización sistemática incluyendo la obtención de sus parámetros básicos (impedancia y sensibilidad) en función del campo magnético y de la corriente circulante. En paralelo, se ha desarrollado un modelo 2D-FEM, para poder analizar mejor su comportamiento. Se han realizado también medidas de comportamiento térmico, en frecuencia, de ruido y de aislamiento para poder determinar cuantitativamente sus rangos de uso. Se han propuesto varias aplicaciones potenciales como son su uso como aisladores analógicos. La posibilidad de medir potencia eléctrica aprovechando su capacidad multiplicativa tensión-corriente ha sido demostrada en los rangos usuales de consumo de circuitos integrados típicos. También se han propuesto circuitos convertidores corriente frecuencia para poder ser utilizados en esquemas cuasi-digitales, dada su potencialidad. Por último, se ha demostrado la compatibilidad de los dispositivos GMR con tecnologías CMOS mediante su integración en dos procesos representativos de las mismas.