NAGIOS: RODERIC FUNCIONANDO
High accuracy Raman measurements using the Stokes and anti-Stokes lines
Repositori DSpace/Manakin
- Inici
- Investigació
- e-prints
- 22 - Física
- Visualitza element
IMPORTANT: Aquest repositori està en una versió antiga des del 3/12/2023. La nova instal.lació está en https://roderic.uv.es/
High accuracy Raman measurements using the Stokes and anti-Stokes lines
Mostra el registre complet de l'element
|
Visualització
|
| Trzeciakowski, Witold; Martínez Pastor, Juan Pascual; Cantarero Sáez, Andrés | |||
| Aquest document és un/a article, creat/da en: 1997 | |||
|
Este documento está disponible también en : http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000082000008003976000001&idtype=cvips&prog=normal&doi=10.1063/1.366537 |
|||
|
|||
| We show that by measuring the separation between the Stokes and anti-Stokes peaks excited by two different laser lines we obtain a very precise determination of absolute phonon energies. The method is useful for measuring small changes of these energies with strain, temperature, laser power, etc. It doubles the changes and avoids the necessity of using the reference lines in the Raman spectra. The method can be applied for the determination of phonon deformation potentials, for the characterization of strained heteroepitaxial layers, and for micro-Raman analysis of strain in silicon integrated circuits. We give examples of phonon shifts in Si, Ge, GaAs, InAs, and GaP as a function of applied biaxial strain, laser power, and temperature. | |||
| Veure al catàleg Trobes | |||
Aquest element apareix en la col·lecció o col·leccions següent(s)
-
22 - Física [3766]