NAGIOS: RODERIC FUNCIONANDO
Effect of reactive ion beam etching on the photoluminescence of CdTe epitaxial layers
Repositori DSpace/Manakin
- Inici
- Investigació
- e-prints
- 22 - Física
- Visualitza element
IMPORTANT: Aquest repositori està en una versió antiga des del 3/12/2023. La nova instal.lació está en https://roderic.uv.es/
Effect of reactive ion beam etching on the photoluminescence of CdTe epitaxial layers
Mostra el registre complet de l'element
|
Visualització
|
| Martínez Pastor, Juan Pascual; Fuster, David; Abellán, M.; Anguita, J.; Sochinskii, N. V. | |||
| Aquest document és un/a article, creat/da en: 2008 | |||
|
Este documento está disponible también en : http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000103000005056108000001&idtype=cvips&prog=normal&doi=10.1063/1.2874480 |
|||
|
|||
| We demonstrated the effect of reactive ion beam etching (RIBE) process on the PL properties of CdTe/sapphire metal organic vapor phase epitaxy layers. At optimum conditions, the RIBE attack does not make significant morphological changes but it results in an increase of the concentration of acceptor impurities. This was revealed by an increase of the overall photoluminescence (PL) intensity and, simultaneously, a decrease of the PL decay time, more important on the low energy side of PL spectrum due to the recombination of carriers in acceptor pairs. | |||
| Veure al catàleg Trobes | |||
Aquest element apareix en la col·lecció o col·leccions següent(s)
-
22 - Física [3766]