NAGIOS: RODERIC FUNCIONANDO
Temperature dependence of the E2h phonon mode of wurtzite GaN/AlN quantum dots
Repositori DSpace/Manakin
- Inici
- Investigació
- e-prints
- 22 - Física
- Visualitza element
IMPORTANT: Aquest repositori està en una versió antiga des del 3/12/2023. La nova instal.lació está en https://roderic.uv.es/
Temperature dependence of the E2h phonon mode of wurtzite GaN/AlN quantum dots
Mostra el registre complet de l'element
|
Visualització
|
| Budagosky Marcilla, Jorge Alejandro; García Cristóbal, Alberto; Cros Stotter, Ana | |||
| Aquest document és un/a article, creat/da en: 2008 | |||
|
Este documento está disponible también en : http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000104000009094904000001&idtype=cvips&prog=normal&doi=10.1063/1.3006892 |
|||
|
|||
| Raman scattering has been used to study the temperature dependence of the frequency and linewidth of the E2h phonon mode of GaN/AlN quantum dot stacks grown on 6H-SiC. The evolution of the nonpolar phonon mode was analyzed in the temperature range from 80 to 655 K for both quantum dots and barrier materials. The experimental results are interpreted by comparison with a model that takes into account symmetric phonon decay and the different thermal expansions of the constituents of the heterostructure. We find a small increase in the anharmonic parameters of the phonon modes in the heterostructure with respect to bulk. | |||
| Veure al catàleg Trobes | |||
Aquest element apareix en la col·lecció o col·leccions següent(s)
-
22 - Física [3766]