Surface properties of AlInGaN/GaN heterostructure

Repositori DSpace/Manakin

IMPORTANT: Aquest repositori està en una versió antiga des del 3/12/2023. La nova instal.lació está en https://roderic.uv.es/

Surface properties of AlInGaN/GaN heterostructure

Mostra el registre complet de l'element

Visualització       (3.178Mb)

	Minj, Albert; Skuridina, D.; Cavalcoli, D.; Cros Stotter, Ana; Vogt, P.; Kneissl, M.
	Aquest document és un/a article, creat/da en: 2016
	Surface structural, electronic and electrical properties of the quaternary alloy AlInGaN/GaN heterostructures are investigated. Surface termination, atomic arrangement, electronic and electrical properties of the (0001) surface and (10-11) V-defect facets have been experimentally analyzed using various surface sensitive techniques including spectroscopy and microscopy. Moreover, the effect of sub-band gap (of the barrier layer) illumination on contact potential difference (VCPD) and the role of oxygen chemisorption have been studied.
	Veure al catàleg Trobes

Aquest element apareix en la col·lecció o col·leccions següent(s)

• 33 - Ciències Tecnológiques [661]
  

Mostra el registre complet de l'element

Cerca a RODERIC

Visualitza

Estadístiques